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面对新材料的挑战-先进化学机械研磨清洗技术简介

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摘要随着半导体制造技术的发展，尤其是随着晶体管线宽尺寸从0．13um到90nm，再到60nm以下，电阻电容延迟对整个器件功能的影响越来越大。为了应对这种影响，新的材料不断得到应用：低电阻的铜代替以前的铝成为新的金属互连线，金属之间的介质材料也从以前的TEOS SiO2到低介电常数的FSG，

作者赵润涛

出处《集成电路应用》 2008年第10期47-48,共2页 Application of IC

关键词化学机械研磨新材料清洗技术半导体制造技术金属互连线低介电常数 TEOS 介质材料

分类号 TN405.96 [电子电信—微电子学与固体电子学] TB3 [一般工业技术—材料科学与工程]

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2008年第10期

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