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碲镉汞红外焦平面器件热失配应力研究 被引量:21

STUDY ON THERMAL MISMATCH STRESS OF HgCdTe INFRARED FOCAL PLANE ARRAY
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摘要 采用有限元分析方法研究了碲镉汞红外焦平面器件在低温下由于不同热膨胀系数引起的热失配应力,提出了两种焦平面器件结构,可以有效地降低热应力,并应用于实际器件的制备,明显提高了碲镉汞焦平面器件的可靠性. Thermal mismatch stress for HgCdTe infrared focal plane array was analyzed by finite elements method. According to the analyzing results, two configurations of infrared focal plane array were proposed to reduce the thermal mismatch stress effectively. The reliability of HgCdTe infrared focal plane array was raised obviously.
出处 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期409-412,共4页 Journal of Infrared and Millimeter Waves
基金 国防预研(42201030102)资助项目
关键词 红外焦平面 HGCDTE 热应力 可靠性 infrared focal plane array HgCdTe thermal stress reliability
  • 相关文献

参考文献8

  • 1Jean-Luc Tissot, Francois Marion. Collective flip-chip technology for hybrid focal plane arrays[J]. SPIE, 2000,4310: 581-586.
  • 2Dhar N K, Chen Y, Brill G, et al. Composite substrate for large-format HgCdTe IRFPA [ J ]. SPIE, 2003,5074 : 157-165.
  • 3Tribolet P, Costa P, Fillon P, et al. Large staring arrays at Sofradir[J], SPIE, 2003,4820:46-56.
  • 4Pierre Castelein, Francois Marion, Jean-Luc Martin, et al. A megapixel HgCdTe MWIR focal plane array with 15μm pitch [ J ]. SPIE,2003,5074 : 52-59.
  • 5Love Peter J, Hoffman Alan W, Gulbransen David J, et al, Large-format 0.85 - 2.5 micron HgCdTe detector arrays for low-background applications[ J]. SPIE, 2004,5167 : 134-142.
  • 6饭田修一等合编,张质贤等译.物理学常用数表[M].北京:科学出版社,1987.
  • 7王晨飞,李言谨.HgCdTe光伏探测器在高温背景辐照下的I-V特性分析[J].红外与毫米波学报,2006,25(4):257-260. 被引量:4
  • 8全知觉,叶振华,胡伟达,李志锋,陆卫.降低平面结型碲镉汞焦平面阵列光串音的结构优化研究[J].红外与毫米波学报,2006,25(5):329-332. 被引量:7

二级参考文献15

  • 1叶振华,吴俊,胡晓宁,巫艳,王建新,李言谨,何力.碲镉汞 p^+-on-n长波异质结探测器的研究[J].红外与毫米波学报,2004,23(6):423-426. 被引量:9
  • 2贾嘉,陈贵宾,龚海梅,李向阳.室温短波碲镉汞结区的LBIC方法研究[J].红外与毫米波学报,2005,24(1):11-14. 被引量:10
  • 3Tetsuya Miyatake. Effects of photocurrent Multiplication in HgCdTe photodiode [ J]. SPIE, 1997,3061:68-77.
  • 4Elliott C T, Gordon N T, Hall R S. ReVerse breakdown in long wavelength lateral collection Hg1-xCdxTe [J]. J. Vac.Sci. Technol. 1990,A8,1251.
  • 5Ridly B K. Lucky-drift mechanism for impact ionization in semiconductors [J]. J. Phys , C: Solid State Phys , 1983,16:3373-3388.
  • 6刘坤.窄禁带半导体光电性质及其二维特性研究.中国科学院上海技术物理研究所博士论文,1995.
  • 7Baars J, Sorger F. Reststrahlen spectra of HgTe and Hg1-x CdxTe [J]. Solid State Commun, 1972,10:875.
  • 8Rosbeck J P. Background and temperature dependent current-voltage characteristics of HgCdTe photodiodes [ J ].J. Appl. Phys, 1982 ,53(9) :6430-6440.
  • 9Antoni Rogalski.Infrared detectors:status and trends[J],Progress in Quantum Electronics,2003,27:59-210.
  • 10Kozlowski LJ,Vural K,Luo J,et al.Low-noise infraredand visible focal plane arrays[J].Opto-Electronics Review,1999,7:259-269.

共引文献9

同被引文献139

引证文献21

二级引证文献83

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