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恩智浦针对L波段雷达应用推出最高速RF输出功率器件
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摘要
2008年11月2113,恩智浦半导体扩张其业界领先的RF Power晶体管产品线,近日推出最新的针对L波段雷达应用的横向扩散金属氧化物半导体LDMOS晶体管,该晶体管在1.2-1.4GHz的频率之间带来达500W的突破性的RF输出功率。
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第12期1150-1151,共2页
Semiconductor Technology
关键词
雷达应用
输出功率
L波段
功率器件
RF
LDMOS晶体管
金属氧化物半导体
POWER
分类号
TN957.529 [电子电信—信号与信息处理]
TN722 [电子电信—电路与系统]
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半导体技术
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