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恩智浦针对L波段雷达应用推出最高速RF输出功率器件

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摘要 2008年11月2113，恩智浦半导体扩张其业界领先的RF Power晶体管产品线，近日推出最新的针对L波段雷达应用的横向扩散金属氧化物半导体LDMOS晶体管，该晶体管在1．2-1．4GHz的频率之间带来达500W的突破性的RF输出功率。

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第12期1150-1151,共2页 Semiconductor Technology

关键词雷达应用输出功率 L波段功率器件 RF LDMOS晶体管金属氧化物半导体 POWER

分类号 TN957.529 [电子电信—信号与信息处理] TN722 [电子电信—电路与系统]

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半导体技术

2008年第12期

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