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利用气体吸收池光电流信号稳定InGaAsP半导体激光器频率 被引量:3

Study of the Frequency Stabilization of InGaAsP Semiconductor Laser Using the Optogalvanic Effect of a Gas Absorption Cell
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摘要 采用光吸收作用使放电气体吸收池电流改变,即“光电压”信号作为频率标准,对InGaAsP长波长半导体激光器进行稳频。 The preliminary result of the frequency stabilization of an InGaAsP semiconductor laser using the optogalvanic effect of a gas absorption cell is reported. The optogalvanic signal of the discharge absorption cell is used as a frequency standard.
出处 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期37-40,共4页 Chinese Journal of Lasers
基金 电子科学研究院预研基金
关键词 半导体激光器 放电吸收池 光电流效应 InGaAsP semiconductor laser, frequency stabilization, discharge absorption cell, optogalvanic effect
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