摘要
采用光吸收作用使放电气体吸收池电流改变,即“光电压”信号作为频率标准,对InGaAsP长波长半导体激光器进行稳频。
The preliminary result of the frequency stabilization of an InGaAsP semiconductor laser using the optogalvanic effect of a gas absorption cell is reported. The optogalvanic signal of the discharge absorption cell is used as a frequency standard.
出处
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第1期37-40,共4页
Chinese Journal of Lasers
基金
电子科学研究院预研基金
关键词
半导体激光器
放电吸收池
光电流效应
InGaAsP semiconductor laser, frequency stabilization, discharge absorption cell, optogalvanic effect