导纳谱研究锗硅单量子阱的退火效应

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摘要利用导纳谱研究了锗硅单量子阱的热稳定性．导纳谱热发射模型的理论模拟和深能级缺陷研究表明：在９００℃以下退火１０分钟，晶格弛豫并不明显，但原子的互扩散引起量子阱中子能级严重降低．同时，我们计算出了原子的互扩散系数，以及单量子阱Ｓｉ／Ｓｉ０．７５Ｇｅ０．２５／Ｓｉ中原子互扩散的热激活能１．０８ｅＶ．

作者柯炼林峰张胜坤谌达宇陆昉王迅

机构地区复旦大学应用表面物理国家重点实验室

出处《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期66-71,共6页 半导体学报（英文版）

基金国家自然科学基金

关键词锗硅单量子阱退火效应

分类号 TN304.11 [电子电信—物理电子学] TN304.12 [电子电信—物理电子学]

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1刘晓晗，半导体学报，1996年，17卷，552页
2陆--，Phys Rev B，1995年，51卷，4213页
3Chang S J，Appl Phys Lett，1989年，54卷，13期，1253页

1唐超,刘威,徐慧,刘旭东,黄维.有机半导体研究中的导纳谱方法[J].科学通报,2011,56(34):2835-2845. 被引量：1
2何绪林,张静全,冯良桓,武莉莉,李卫,曾广根,雷智,黎兵,郑家贵.石墨浆做背接触层的CdTe薄膜太阳电池的导纳谱表征[J].中国科学：技术科学,2010,40(12):1509-1513. 被引量：1
3单莺.场发射显示[J].光电子技术,1997,0(4):305-307. 被引量：1
4周洁,封松林,卢励吾,孙景兰.GaAs／GaAlAs单量子阱光调制器电学行为[J].红外与毫米波学报,1994,13(1):65-68.
5胡新文,赵军,陆慧庆,李向阳,方家熊.γ辐照室温短波HgCdTe光伏器件的导纳谱研究[J].物理学报,1999,48(6):1107-1112. 被引量：7
6傅刚,陈环,陈志雄.ZnO压敏陶瓷的导纳谱研究[J].应用科学学报,1997,15(4):440-445.
7张胜坤,朱海军,蒋最敏,胡冬枝,徐阿妹,林峰,陆昉.用导纳谱研究锗量子点的能级结构[J].自然科学进展（国家重点实验室通讯）,1998,8(4):496-501.
8胡新文,李向阳,王勤,陆慧庆,赵军,方家熊,张胜坤.短波HgCdTe光电二极管中缺陷能级对器件性能的影响[J].红外与毫米波学报,1999,18(2):108-112.
9张胜坤,蒋最敏,王迅.自组织生长锗量子点的库仑荷电效应[J].物理,1998,27(11):643-645. 被引量：6
10史久德.复蒸银对银氧铯光电阴极特性的改进[J].光电子技术,1992,12(4):308-312.

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