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InGaAs/InP DHBT的基极-集电极设计 被引量：2

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摘要 研究了在InGaAs/InP DHBT中,组分渐变的集电极和δ掺杂浓度对Kirk电流的影响.提出了有效过渡层的概念.在组分非连续渐变的结构中,有效过渡层扩展到InGaAs的缩进层中.对不同的Kirk效应条件,给出了最大掺杂浓度、最大Kirk电流密度以及相对应的δ掺杂浓度的公式.最大集电极掺杂浓度和最大Kirk电流密度都依赖于δ掺杂层.优化δ掺杂能大幅度提高器件的Kirk电流密度.
作者 金智 刘新宇
机构地区 中国科学院微电子研究所微波器件与集成电路研究室
出处 《中国科学（E辑）》 CSCD 北大核心 2008年第9期1521-1528,共8页 Science in China(Series E)
基金 国家重点基础研究发展计划项目(批准号:2002CB311902)资助
关键词 INP DHBT 集电极 Kirk电流
分类号 TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]
  • 相关文献

参考文献5

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同被引文献16

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引证文献2

二级引证文献10

中国科学（E辑）
2008年 第9期

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