摘要
采用Sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备Bi3.4Ce0.6Ti3O12薄膜.利用X射线衍射仪和原子力显微镜对其微观结构进行了观察,发现制备的薄膜具有单一的钙钛矿晶格结构,而且表面平整致密.对Bi3.4Ce0.6Ti3O12薄膜的介电、铁电、疲劳和漏电流等性能进行了研究,结果表明:室温下,在测试频率1 kHz时,其介电常数为172,介电损耗为0.031;在测试电压为600 kV·cm-1,其剩余极化值2Pr达到了67.1μC·cm-2,具有较大的剩余极化值,矫顽场强2Ec也达到了299.7kV·cm-1;经过4.46×109次极化反转后,没有发生疲劳现象,表现出良好的抗疲劳特性;漏电流测试显示制备的Bi3.4Ce0.6Ti3O12薄膜具有良好的绝缘性能.
出处
《中国科学（E辑）》
CSCD
北大核心
2008年第3期442-447,共6页
Science in China(Series E)
基金
湖北省自然科学基金资助项目(批准号:2004ABA082)
