摘要
研究了非故意掺杂的n型cBN晶体的电学性质.所研究的cBN晶体是由六角氮化硼在高温高压下以镁粉为催化剂转化而来.在室温下,测量了cBN晶体的伏安特性,为非线性伏安特性.当电场强度在10^5~1.5×10^5V/cm范围内时,cBN晶体发生电击穿.同时,cBN晶体发出波长为380~400nm的蓝紫光.继续测量cBN晶体伏安特性,发现cBN晶体出现电流控制型微分负阻.这些实验现象是可以重复的.
出处
《中国科学(E辑)》
CSCD
北大核心
2008年第11期1952-1957,共6页
Science in China(Series E)
基金
暨南大学珠海学院优秀人才科研基金项目(批准号:510062)资助