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含V和Cu的TiAl基合金中缺陷和3d电子行为的正电子湮没研究 被引量：1

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摘要 通过测量过渡金属元素(Ti,V,Cu)以及TiAl基合金(Ti50Al50,Ti50Al48V2,Ti50Al48Cu2)的符合正电子湮没辐射多普勒展宽谱和寿命谱,获得了这些金属及合金中3d电子和缺陷的信息.结果表明,过渡金属元素Ti,V,Cu原子中3d轨道的电子数目越多,正电子湮没辐射Doppler展宽谱的3d信号越强.二元TiAl合金的电子密度和3d电子的信号较低,晶界缺陷的开空间较大.在TiAl合金中加入V或Cu,合金中的3d电子信号增强,基体和晶界处的电子密度均增加.Ti50Al48Cu2合金的多普勒展宽谱的3d电子信号高于Ti50Al48V2合金.
作者 邓文 陈真英 江海峰 孙顺平 祝莹莹 黄宇阳
机构地区 广西大学物理科学与工程技术学院 河南理工大学理化系
出处 《中国科学（G辑）》 CSCD 2008年第8期1016-1022,共7页
基金 国家自然科学基金(批准号:50361002) 广西科学研究与技术开发计划(编号:0480004) 广西大学科学技术研究重点项目(编号:2003ZD04)资助
关键词 TIAL合金 3d电子 缺陷 正电子湮没
分类号 TG146.23 [金属学及工艺—金属材料]
  • 相关文献

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共引文献1

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引证文献1

二级引证文献2

中国科学（G辑）
2008年 第8期

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