摘要
2007年9月英特尔推出全球首款32nm SRAM,2007年11月IBM推出32nm SRAM;2007年12月台积电推出32nm测试芯片。业界认为,2009年下半年量产32nm芯片。32nm芯片将采用193浸没式光刻与双重图形,高k电介质/金属栅极,超低k电介质,高kSOI等技术。为了使双重图形技术用于32nm节点,ITRS2006修正版提出了具体的要求。2007年ASML推出XT:1900I,2008年尼康推出NSR-S611C,以用于32nm光刻工艺。
出处
《电子工业专用设备》
2008年第12期34-36,共3页
Equipment for Electronic Products Manufacturing
