ZnO将成为创造高性能LED的突破点

据国外媒体报道．德国科学家采用氢进行掺杂的方法制造出更高性能的LED和其他半导体。他们称，在使用ZnO制造半导体时，合理控制氢原子将成为一个关键。半导体掺杂是激活半导体的必要条件，它将外来的原子掺进晶体里，而该原子可以释放（n型掺杂）或吸收一个电子（p型掺杂），这样就在固体内部创造一个空穴。