摘要
采用新型阳极短路环的发射极结构，开发出１０００Ａ，２５００Ｖ和２０００Ａ，２５００Ｖ大功率阳极短路型ＧＴＯ。本文给出该元件的设计原则、制造工艺、通态损耗与关断损耗的最佳折衷结果。
High power GTO thyristors of 1000A,2500V and 2000A,2500V with a novel ring anode shorts emitter structure are developed.The basic desigh and process of GTO and optimun compromise between on state losses and turn off losses are given.
出处
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
1998年第1期75-78,共4页
Power Electronics
基金
机械工业技术发展基金
