具有极小占位面积的20V N通道功率MOSFET＋肖特基二极管

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摘要 SiB800EDK将具有0．32V低正向电压的肖特基二极管与在1．5V VGS时具有0．96Q低导通电阻的MOSFET结合在PowerPAK SC-75封装中。当便携式电子设备变得越来越小时，元器件的大小变得至关重要。凭借超小的占位面积，SiB800EDK比采用2mm×2mm封装的器件小36％，

出处《今日电子》 2009年第1期111-111,共1页 Electronic Products

关键词肖特基二极管面积占位 N通道便携式电子设备极小功率 MOSFET

分类号 TN311.7 [电子电信—物理电子学] O614.111 [理学—无机化学]

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