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中芯国际首批45纳米芯片验证成功

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摘要 中芯国际日前宣布,自2007年12月与IBM签订45纳米低功耗和高性能bulk CMOS技术许可协议不到一年,其第一批45纳米产品已成功通过良率测试,标志着其45纳米工艺进入一个新的里程。
出处 《中国集成电路》 2009年第1期1-1,共1页 China lntegrated Circuit
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