东芝、IBM和AMD联合开发世界上最小的FinFET SRAM单元

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摘要东芝、IBM和AMD日前宣布，三方采用FinFET共同开发了一种静态随机存储器（SRAM）单元，其面积仅为0．128平方微米，是世界上最小的实用SRAM单元。

出处《中国集成电路》 2009年第1期6-6,共1页 China lntegrated Circuit

关键词 SRAM单元 FINFET AMD IBM 东芝世界开发静态随机存储器

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中国集成电路

2009年第1期

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