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基于标准CMOS工艺的一款宽带限幅放大器芯片设计

A Wideband Limiting Amplifier design of Basing on CMOS Technics
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摘要 采用SMIC0.35μmCMOS混合信号工艺来设计开发一款适用于SDHSTM-16的光接收机前端限幅放大器芯片。该限幅放大器的设计采用了电容中和技术来实现带宽的扩展,可满足2.5Gbps速率要求,芯片电路拥有信号丢失检测和自动静噪功能。芯片版图的参数提取仿真表明:芯片最小输入动态范围可达2mV,50Ω负载上的双端输出摆幅约为1400mVpp,在3.3V供电下静态功耗仅为66mW,动态功耗为105mW,有实际推广价值。 A 2.5Gbps limiting amplifier was realized in SMIC 0.35 μm CMOS mixed signal process for optical receiver' s front end. This limiting amplifier uses capacitance neutralization technology to improve bandwidth and can satisfy 2.5 Gbps requirement for SDH STM-16 system. The chip also includes detecting lost signals and automatic squelch module. The post-simulation results show that this chip offers an input dynamic range as small as 2 mV, and provides a constant double-end output of 1.4 Vpp over a 50 Ω load. The static power dissipation is only 66 mW and dynamic power dissipation is 105 mW with the supply voltage of 3.3 V.
出处 《中国集成电路》 2009年第1期29-33,48,共6页 China lntegrated Circuit
基金 国家教育部新世纪人才计划项目 国家自然科学基金项目 福建省科技项目的联合资助
关键词 限幅放大器 电容中和 CMOS工艺 limiting amplifier capacitance neutralization CMOS technology
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参考文献1

  • 1(美)ThomasH.Lee著,余志平,周润德等.CMOS射频集成电路设计[M]电子工业出版社,2004.

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