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CMP专用纳米磨料生长粒径控制技术

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摘要 成果摘要:该课题组粒径可控为微电子CMP多种用途提供了高质无污染、高纯、高浓度SiO2纳米磨料,建立了硅溶胶生长机理,采用控制粒子数多级分次生长等液面法,制备出所需粒径范围内的产品,实现粒径可控生长;运用阳-阴-阳三步离子树脂交换法,将硅溶胶中金属离子含量降至ppm级,实现了高纯。
出处 《中国科技财富》 2009年第1期111-111,共1页 China Science and Technology Fortune Magazine
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