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CMP专用纳米磨料生长粒径控制技术
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摘要
成果摘要:该课题组粒径可控为微电子CMP多种用途提供了高质无污染、高纯、高浓度SiO2纳米磨料,建立了硅溶胶生长机理,采用控制粒子数多级分次生长等液面法,制备出所需粒径范围内的产品,实现粒径可控生长;运用阳-阴-阳三步离子树脂交换法,将硅溶胶中金属离子含量降至ppm级,实现了高纯。
出处
《中国科技财富》
2009年第1期111-111,共1页
China Science and Technology Fortune Magazine
关键词
生长机理
控制技术
纳米磨料
CMP
粒径
金属离子含量
可控生长
树脂交换法
分类号
TN47 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TP273 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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