TrenchFET功率MOSFET实现极低导通电阻

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摘要 P通道TrenchFET功率MOSFET Si7633DP和Si7135DP采用SO-8封装，可容许比其他SO-8封装器件高60％的最大漏电流和高75％的最大功率损耗。Si7633DP具有3．3mΩ（在10V时）及5．5mΩ（在4．5V时）的超低导通电阻。

出处《今日电子》 2009年第2期112-112,共1页 Electronic Products

关键词功率MOSFET 低导通电阻 SO-8封装功率损耗封装器件漏电流可容许

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