InGaAs/InP半导体激光器自锁模特性的研究
出处
《科学通报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第8期892-893,共2页
Chinese Science Bulletin
参考文献2
-
1向望华,Appl Phys Lett,1991年,59卷,17期,2076页
-
2向望华,Opt Lett,1991年,16卷,18期,1394页
-
1Akaho.,Y,艾时英.622Mb/s单片集成InGaAs/InP高灵敏度互阻光...[J].光纤通信技术,1992(3):30-32.
-
2向望华,町田进,渡部仁贵,S.R.Friberg,山本喜久.光泵外腔面发射InGaAs/InP半导体激光器[J].Journal of Semiconductors,1995,16(11):854-856.
-
3章其麟,任永一.MOCVD法在InP上生长GaAs及其在器件中的应用[J].上海半导体,1994(1):15-18.
-
4屠海令.半导体材料稀土掺杂的理论及应用[J].稀有金属,1996,20(1):39-44. 被引量:1
-
5一丁.等离子体处理对InP上氧化物生长和电性能的影响[J].等离子体应用技术快报,1994(11):14-15.
-
6李玲.InGaAs填补红外空缺[J].红外,1990(9):43-44.
-
7竹内博昭,赵玉兰.InGaAs/InP马赫—齐德型光调制器[J].光纤通信技术,1989(6):41-45.
-
8顾聚兴.响应率达1A/W的光电探测器[J].红外,2003,24(9):25-25.
-
9顾聚兴.敏感近红外图象的单片InGaAs/InP列阵[J].红外,1997(6):43-43.
-
10Soole,JB,顾聚兴.InGaAs金属—半导体—金属光电二极管的设计及性能[J].红外,1992(9):40-40.
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