最高速RF输出功率器件

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摘要恩智浦半导体扩张其业界领先的RF Power晶体管产品线，推出最新的针对L波段雷达应用的横向扩散金属氧化物半导体（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor，以下简称LDMOS）晶体管，该晶体管在1．2～1．4GHz的频率之间带来达500W的突破性的RF输出功率。

出处《家电科技》 2009年第1期34-34,共1页 Journal of Appliance Science & Technology

关键词输出功率 SEMICONDUCTOR 功率器件 RF 金属氧化物半导体 POWER METAL 晶体管

分类号 TN929.53 [电子电信—通信与信息系统] TN303 [电子电信—物理电子学]

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