掩膜级测量为闪存设计预测成像质量
摘要
闪存不断推动着器件尺寸等比例缩小的进程,高数值孔径浸没式光刻使得45nm及以下技术节点成为可能。一些掩膜参数对于成像性能有很重要的影响,并且曝光前掩膜的空间成像可以用于定义成像质量。
出处
《集成电路应用》
2008年第11期26-29,32,共5页
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