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一种具有窗口的双介质SOI耐压结构及其SOI功率器件
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摘要
具有窗口的双介质SOI耐压结构及其SOI功率器件是一种用于功率器件的具有窗口的双介质层SOI耐压结构以及采用具有窗口的双介质层SOI耐压结构的SOI功率器件,其特征是,耐压层结构含有两层介质层,两介质层之间填充半导体或半绝缘材料,且第一层介质有窗口。
出处
《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第1期156-156,共1页
Journal of University of Electronic Science and Technology of China
关键词
耐压结构
功率器件
SOI
双介质
窗口
半绝缘材料
介质层
层结构
分类号
TN303 [电子电信—物理电子学]
U674.76 [交通运输工程—船舶及航道工程]
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周勋.
一种用于双极大规模集成电路的新型双介质...[J]
.江南半导体通讯,1992,20(2):11-14.
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黄义贞.
新方法生长半绝缘InP基外延层[J]
.电子材料快报,1995(6):10-11.
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.微电子学,2013,43(4):568-571.
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.中国集成电路,2002,0(11):88-91.
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电子科技大学学报
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