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硅上集成III—V族化合物用于将来的晶体管

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摘要 2000年以来，已探索并利用许多材料到Si的CMOS晶体管中以提高器件性能和提高能源效率。这一趋势仍将继续，可望有更多的非硅材料用于CMOS晶体管，并在未来工艺代将其集成到硅衬底上。

作者邓志杰（摘译）

出处《现代材料动态》 2009年第1期9-10,共2页 Information of Advanced Materials

关键词 CMOS晶体管硅材料集成化合物能源效率器件性能硅衬底

分类号 TN929.5 [电子电信—通信与信息系统] TN304.12 [电子电信—物理电子学]

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现代材料动态

2009年第1期

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