创记录大功率SiC器件增强雷达性能

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摘要 Microsemi公司报道，已制出功率最高的RF晶体管应用于VHF（极高频）和UHF（超高频）雷达。这种2kW级静态感应晶体管（SIT）是2008年10月问世的。SiC的临界电场比Si高一个数量级，这使SiC晶体管能在相当高的偏压下工作。该公司采用直径3＂SIC外延片生产这种毫米度的芯片，将这些晶体管平行连接而不是直接制成大面积芯片，

作者邓志杰（摘译）

出处《现代材料动态》 2009年第2期9-9,共1页 Information of Advanced Materials

关键词雷达性能大功率 IC器件 RF晶体管 SiC 临界电场超高频 UHF

分类号 TN606 [电子电信—电路与系统] V243.2 [航空宇航科学与技术—飞行器设计]

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