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SiS426DN/SiR496DP/Si7718DN／Si7784DP：第三代功率MOSFET
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摘要
Vishay推出两款20V和两款30Vn通道器件，从而扩展其第三代TrenchFET功率MOSFET系列。这些器件首次采用TurboFET技术，利用新电荷平衡漏结构将栅极电荷降低多达45％，从而降低切换损耗及提高切换速度。
出处
《世界电子元器件》
2009年第1期54-54,共1页
Global Electronics China
关键词
功率MOSFET
第三代
SI
切换速度
栅极电荷
电荷平衡
N通道
器件
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
TN305.3 [电子电信—物理电子学]
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世界电子元器件
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