SiA850DJ：190VN沟道功率MOSFET

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摘要 Vishey推出带有同体封装的190V功率二极管的190VN沟道功率MOSFET-——SiA850DJ，该器件具有2mm×2mm的较小占位面积以及0.75mm的超薄厚度。

出处《世界电子元器件》 2009年第2期51-51,共1页 Global Electronics China

关键词 N沟道功率功率MOSFET 功率二极管封装超薄器件

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世界电子元器件

2009年第2期

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