摘要
制备出６～７ｎｍ超薄栅ＮＭＯＳＦＥＴ。通过对器件性能的研究发现，适当条件下用Ｎ２Ｏ制备的超薄ＳｉＯｘＮｙ膜比ＳｉＯ２膜更适合于ＵＬＳＩ的应用。
The NMOSFET with ultra thin gate(6～7nm) have been made.Compared with SiO 2 film,the ultra thin SiO xN y film prepared by N 2O under proper process can be better used in ULSI applications.
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第2期45-50,60,共7页
Semiconductor Technology
关键词
超薄栅介质膜
击穿特性
ULSI
甚大规模
集成电路
Ultra thin dielectric film Breakdown characteristics Leakage current Hot carrier stress
