W/SiC纳米多层膜界面微结构研究(英文)

本文采用双靶交替磁控溅射方法制备了Ｗ／ＳｉＣ纳米多层膜，并用高分辨电镜对多层膜截面形貌及界面微结构进行了分析。结果表明：Ｗ／ＳｉＣ纳米多层膜具有良好的调制结构，其中Ｗ为多晶，ＳｉＣ为非晶，且Ｗ晶粒在垂直于膜面的方向上的长大受到调制周期的限制。Ｗ与ＳｉＣ形成完全非共格界面，该界面具有宏观平直而微观粗糙的特点。在界面上存在一个模糊的过渡层，该过渡层由Ｗ与ＳｉＣ的成份混合区和Ｗ的结构过渡区构成。