摘要
Vishay日前宣布推出新型20—V和30－Vp－通道TrenchFET功率MOSFET——Si7633DP和Si7135DP。这次推出的器件采用SO8封装，具有±20V栅源极电压以及业内最低的导通电阻。现有的同类SO8封装器件额定电压下导通电阻仅低至24mΩ，而Vishay的Si7633DP具有3．3mΩ（在10V时）及5．5mΩ（在4．5V时）的超低导通电阻。这些值比最接近的同类30－V器件低27％（在10V时）和28％（在4．5V时），
出处
《中国电子商情》
2009年第1期94-94,共1页
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