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导通于放大状态的高速低压TTL与非门 被引量:4

High-speed and low-voltage TTL AND-NOT gate to turn on amplification-state
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摘要 本文在分析低压TTL门按传统方式实现高速的困难之后,首先提出一个利用射极跟随器钳位和反馈电路组成的导通于放大状态低压TTL电路,并设计出延迟时间tpd<1ns的高速低压TTL与非门。接着进行电路分析和参数估算。用计算机模拟证明理论和电路的正确性。 After analyzing the difficulty to realize a high-speed and low-voltage TTL gate by tradition idea, a TTL circuits to turn on amplification-state by the using of emitter follower clamping-and-feedback circuit is presented and the high-speed and low-voltage TTL AND-NOT gate of delay-time tpd〈1ns is designed mainly in this paper. Secondly, a circuit analysis and parameter estimate are made out for reference to improve at high-speed and low-voltage. The theory and circuits are verified bv computer simulation
出处 《电路与系统学报》 CSCD 北大核心 2009年第1期106-110,共5页 Journal of Circuits and Systems
基金 电子工程黑龙江省高校重点实验室项目-黑龙江大学(ZDDZ2006-10) 黑龙江省教育厅科学技术研究资助项目(10531131)
关键词 高速低压TTL门 导通于放大状态 射极跟随器 钳位和反馈电路 high-speed and low-voltage TTL gate turn on amplification-state emitter follower clamping-and-feedbackcircuit
  • 相关文献

参考文献8

  • 1[新加坡]Kiat-Seng Yeo,Samir S Rofail,Wang-Ling Goh著.低压低功耗CMOS/BiCMOS超大规模集成电路[M].北京:电子工业出版社,2003..
  • 2[美]旄敏著.现代半导体器件物理[M].北京:科学出版业,2001.9-60.
  • 3黄均鼎,汤庭鳌编著.双极型与MOS半导体器件物理[M].上海;复旦大学出版社,1990.201-215.
  • 4忻贤.半导体物理与器件[M].上海科学与技术文献出版社,1996.264-305.
  • 5JANMRABAEY.数字集成电路[M].北京:清华大学出版社,1999.150-188.
  • 6[美]JohnMYarbrough.数字逻辑应用与设计[M].北京:机械工业出版社,2004.427-443.
  • 7DonaldA.Neabea.电子电路分析与设计[M].北京:清华大学出版社,2000.1113-1171.
  • 8[美]JohnF.Wakerly编,林生,金京林,等翻译.数字设计-原理与实践[M].第三版影印版,北京:机械工业出版社,2003.100-120.

共引文献2

同被引文献23

引证文献4

二级引证文献11

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