提高亚半微米微细图形光刻分辨力的新技术(Ⅱ)

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摘要提高亚半微米微细图形光刻分辨力的新技术（Ⅱ）罗先刚陈旭南姚汉民（中国科学院光电技术研究所，成都６１０２０９）４相移掩模技术［５］相移掩模（ｐｈａｓｅｓｈｉｆｔｍａｓｋ，ＰＳＭ）最初由美国的Ｍ．Ｄ．Ｌｅｖｅｎｓｏｎ于１９８２年提出，真正成为热点是在８０...

作者罗先刚陈旭南姚汉民

机构地区中国科学院光电技术研究所

出处《物理》 CAS 1998年第5期278-281,300,共5页 Physics

关键词光刻分辨力亚半微米图形相移掩模

参考文献1

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物理

1998年第5期

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