摘要
本文简介了分子束外延半导体纳米材料的基本原理，分子束外延设备及用以制备的低维（纳米）材料的进展及其应用。
This article discusses the basic principals of the growth of semiconductor Nanometer materials by molecular beam epitaxy(MBE), the MBE system,the development and application of the low dementional (nanometer)semiconductor materials.
出处
《现代科学仪器》
1998年第1期55-60,74,共7页
Modern Scientific Instruments
关键词
分子束外延
半导体低维材料
超晶格
纳米材料
Molecular Beam Epitaxy
Low dementional (Nanometer) semiconductor materials
Superlattice Quantum well
Quantum wire
Quantum dot
