摘要
用计算机模拟的方法获得正电子在半导体材料中的迁移率。讨论了正电子有效质量。
A program of Monte Carlo simulation has been designed to study the positron transport in GaAs. The influences of effective mass, impurity concentration and temperature on positron mobility have been discussed.
出处
《核技术》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第2期67-67,共1页
Nuclear Techniques
基金
国家自然科学基金
国家科委基础研究局基金
清华大学基础研究基金
清华大学理学院基金
