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如何推算功率MOSFET的沟道温度
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摘要
对功率MOSFET热设计的考虑与双极型功率晶体管基本上相同。对功率MOSFET的情况,使用条件下的允许沟道温度最高限制一般为150℃,(在设计时,考虑20%左右的富余量,所以推荐使用在125℃以下)。下面举三个例子说明一下沟道温度的计算法。
作者
王东红
出处
《集成电路应用》
1990年第3期9-12,共4页
Application of IC
关键词
功率
MOSFET
沟道
温度
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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