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二氧化铪(HfO_2)薄膜制备的研究进展
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摘要
随着集成电路的迅速发展,高K值柵介质材料将成为下一代MOS器件最具有希望的候选材料,HfO2具有宽带隙和高介电常数而备受关注。本文简述了HfO2薄膜的制备方法及研究进展。
作者
谈国强
贺中亮
刘剑
博海洋
宋亚玉
娄晶晶
李锋娟
机构地区
陕西科技大学材料科学与工程学院
河南大学
陕西宝光集团股份有限公司
出处
《陶瓷》
CAS
2009年第2期10-12,共3页
Ceramics
关键词
HFO2
薄膜
研究进展
分类号
TN24 [电子电信—物理电子学]
O484.1 [理学—固体物理]
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