首尔半导体公布其对InGaN系LED专利的立场

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摘要首尔半导体目前宣布，美国得克萨斯法院经审议决定，活性层使用InGaN的LED在铟的结构特性方面属于首尔半导体的专利。InGaN是组成白，蓝、绿色和紫外光LED活跃层的必要物质。作为上述美国得克萨斯法院审判对象的美国专利5，075,742（以下简称“742专利”）包含了在日本、德国、英国，法国的专利家族。

出处《电子与电脑》 2009年第3期100-100,共1页 Compotech

关键词 INGAN 美国专利 LED 半导体得克萨斯结构特性活性层紫外光

分类号 TN312.8 [电子电信—物理电子学] TQ436.9 [化学工程]

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