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采用MICRO FOOT芯片级封装的TrenchFET功率MOSFET

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摘要 Si8422DB是首款采用MICROFOOT芯片级封装的TrenchFET功率MOSFET,该器件具有背面绝缘的特点。Si8422DB针对手机、PDA、数码相机、MP3播放器及智能电话等便携设备中的功率放大器、电池和负载切换进行了优化。该器件2mil背面涂层可实现对MICROFOOT封装的顶部绝缘,以防与便携器件中移动部件暂时接触而产生的电路短路。
出处 《今日电子》 2009年第3期90-90,共1页 Electronic Products

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