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无限微热源法合成β-SiC粉体的温度场模拟

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摘要 采用ANSYS热分析软件对无限微热源法合成β-SiC粉体的温度分布进行模拟,得到了炉内不同时间温度分布图,并分析了合成炉内温度分布规律。
出处 《甘肃科技》 2009年第3期52-54,共3页 Gansu Science and Technology
基金 陕西省"13115"科技创新工程重大科技产业化项目(编号2007ZDKG-46)
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