摘要
文中给出了一个应用于超宽带射频接收机中的全集成低噪声放大器,该低噪声放大器采用了电阻并联负反馈与源极退化电感技术的结合,为全差分结构,在Jazz0.18μm RF CMOS工艺下实现,芯片面积为1.08mm2,射频端ESD抗击穿电压为1.4kV。测试结果表明,在1.8V电源电压下,该LNA的工作频带为3.1～4.7GHz,功耗为14.9mW,噪声系数(NF)为1.91～3.24dB,输入三阶交调量(IIP3)为-8dBm。
A differential ultra-wideband CMOS low noise amplifier that combines inductive source degeneration and resistive shunt-feedback is presented. Prototype fabricated in Jazz 0. 18um RF CMOS process achieves a maximum power gain of 15.5dB, a noise figure of 1.91 dB to 3.24 dB within the 3 dB bandwidth of 3.1-4.7 GHz, an input IP3 of-8 dBm and an HBM ESD hardness of 1.4 kV, while drawing 8.3 mA from a 1.8 V supply.
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第4期554-558,共5页
Research & Progress of SSE
基金
国家部级十一五项目(No.51308020403
No.51408060905-jW0702)
