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垂直电子耦合InGaAs量子结的光学特性

OPTICAL CHARACTERISTICS OF InGaAs VERTICALLY COUPLED QUANTUM DOTS
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摘要 报导了InGaAs/GaAs和InGaAs/AlGaAs垂直耦合量子结注入式激光器的制备工艺及其光致荧光谱,量热吸收谱和电致荧光谱的特性。该激光器的连续波发光功率在室温下可达1W。 An injection heterolaser based on vertically coupled quantum dots of InGaAs/GaAs or InGaAs/AlGaAs are reported in this paper.The manufacture and the spectra of photoluminescence,calorimetric absorption and electroluminescence are presented.Its CW laser power could be 1 W at room temperature.
作者 赵震
出处 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期39-43,共5页 High Power Laser and Particle Beams
基金 俄罗斯基础科学基金 Volkswagen基金
关键词 半导体激光器 异质结构 量子结 铟镓砷 光学特性 semiconductor laser,beterostructures,guantum dots
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