英飞凌推出性能改进的第三代碳化硅肖特基二极管

率先推出碳化硅（SiC）肖特基二极管的功率半导体全球领先供应商——英飞凌科技股份有限公司近日在应用电源电子大会暨展览会（APEC）上推出第三代thinQITM SiC肖特基二极管。全新thin0j二极管在任何额定电流条件下都具备业界最低的器件电容，可在高开关频率和轻负载条件下提升整个系统的效率，从而帮助降低电源转换系统成本。此外，英飞凌推出的第三代SiC肖特基二极管是业界种类最为齐全的碳化硅肖特基二极管系列，不仅包括TO-220封装（真正的双管脚版本）产品，还包括面向高功率密度表面贴装设计的DPAK封装产品。