期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
岩谷产业开发出氟气无等离子的高速硅蚀刻技术
下载PDF
职称材料
导出
摘要
岩谷产业与京都大学副教授松尾二郎共同开发出了无等离子的高速硅蚀刻技术。反应气体使用三氟化氯(CIF3),可在室温下以40微米/分以上的速度刻蚀单结晶硅底板。优点是与现有设备相比,可简化蚀刻设备的结构和控制方法。
出处
《有机硅氟资讯》
2009年第1期7-7,共1页
Silicone and Fluorine Information
关键词
蚀刻技术
产业开发
结晶硅
等离子
氟气
京都大学
三氟化氯
反应气体
分类号
TQ124.3 [化学工程—无机化工]
TN405.98 [电子电信—微电子学与固体电子学]
引文网络
相关文献
节点文献
二级参考文献
0
参考文献
0
共引文献
0
同被引文献
0
引证文献
0
二级引证文献
0
1
电子材料[J]
.新材料产业,2006(8):79-82.
2
Li Bingsheng Zhang Chonghong Zhou Lihong Yang Yitao Zhang Liqing.
Surface Morphology of He-ion Implantation in Silicon[J]
.近代物理研究所和兰州重离子加速器实验室年报:英文版,2007(1):80-80.
3
夏普:2013年以后薄膜太阳能电池成为主流[J]
.现代材料动态,2007(10):21-21.
4
非言.
GT Solar交付第3000台DSS结晶硅锭生长炉[J]
.太阳能,2011(12):26-26.
5
汤怀智,田波.
三氟化氯的制备及其反应性质[J]
.低温与特气,2000,18(6):32-34.
被引量:4
6
袁宝和.
半导体使用气三氟化砷的研制[J]
.科技创新导报,2014,11(16):60-61.
7
周朋云.
特种气体使用及贮存中的注意事项[J]
.低温与特气,2008,26(5):40-44.
被引量:1
8
各地进展[J]
.广播电视信息,2016,23(7):12-14.
9
通光海缆列入06年国家火炬计划[J]
.光通信,2006(11):62-62.
10
友达光电公布有机EL材料性能分析数据[J]
.现代显示,2006(3):62-62.
有机硅氟资讯
2009年 第1期
职称评审材料打包下载
相关作者
内容加载中请稍等...
相关机构
内容加载中请稍等...
相关主题
内容加载中请稍等...
浏览历史
内容加载中请稍等...
;
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部