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岩谷产业开发出氟气无等离子的高速硅蚀刻技术

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摘要 岩谷产业与京都大学副教授松尾二郎共同开发出了无等离子的高速硅蚀刻技术。反应气体使用三氟化氯(CIF3),可在室温下以40微米/分以上的速度刻蚀单结晶硅底板。优点是与现有设备相比,可简化蚀刻设备的结构和控制方法。
出处 《有机硅氟资讯》 2009年第1期7-7,共1页 Silicone and Fluorine Information
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