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4-BITS-PER-CELL（X4）闪存
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摘要
SanDisk宣布将大量生产基于多层单元（Multi—Level Cell，简称MLC）技术的高效能4-bits—per—cell（X4）闪存。该项突破性科技采用43nm技术．支持64GB单内存芯片，以高内存容量满足日新月异的内存应用程序。
出处
《世界电子元器件》
2009年第3期38-38,共1页
Global Electronics China
关键词
闪存
SANDISK
内存芯片
Level
Cell
应用程序
内存容量
per
分类号
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
TP333.1 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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世界电子元器件
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