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ECR-PECVD制备Si_3N_4硬质陶瓷薄膜的研究

Investigation on Silicon Nitride Hard Ceramic Thin Film Prepared by ECRPECVD
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摘要 采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-PECVD)技术制备了Si3N4薄膜。利用显微硬度计测定了Si3N4薄膜的表面微硬度。由摩擦测试机对Si3N4薄膜的摩擦性能进行了测试分析。结果表明,Si3N4薄膜的摩擦系数和单位时间的磨损量较小,该膜具有良好的耐磨性和耐划伤能力。 The Si3N4 thin film has been prepared by the electron cyclotron resonance microwave plasma enhanced chemical vapour deposition (ECRPECVD). The surface microhardness of Si3N4 thin film has been measured with the microhardness meter. The friction property of Si3N4 thin film has been measured with the friction measure machine. The results indicate that the friction coefficient and abrasion magnitude of the unit time are small. This kind of Si3N4 thin film has good antiwear property.
出处 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第3期322-323,共2页 Journal of Functional Materials
基金 中国科学院"八五"重点研究课题
关键词 ECR-PECVD 硬质陶瓷 薄膜 碳化硅 ECRPECVD, Si3N4 hard ceramic thin film
  • 相关文献

参考文献3

  • 1陈俊芳,Acta Phys Sin,1994年,3卷,682页
  • 2冯钟潮,金属学报,1992年,28卷,B351页
  • 3邝心湖(译),尖端材料,1987年

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