摘要
Si和Ge低维体系材料由于其优越的光电特性,已经广泛地受到人们的重视,尤其是零维体系(量子点).理论预言,量子点尺寸减少到几个纳米时,它的能带结构可以从间接带隙转变为准直接带隙,相应的辐射复合跃迁几率大大增加.制备Ge及GeSi量子点的方法有许多,例如,光刻法、选区外延生长、局域分子束外延生长以及自组织生长方法等,其中自组织生长是一种既简便又有效的方法.由于Ge与Si的晶格常数相差较大,Ge在Si上的生长属于S-K模式,即当Ge外延层厚度超过临界厚度(6 ML)时。
基金
国家自然科学基金
