期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息

BJT和MOSFET的非线性研究 被引量：3

Study of Non-linear Characteristics of BJT and MOSFET
下载PDF
导出
摘要 信号的放大需要放大电路工作在其近似的线性条件下才有意义.借助数学方法,对构成放大的电路的重要器件B JT和MOSFET的非线性进行了对比,并结合其各自的内部结构分析了2类器件非线性的产生和差异.目的在于为今后研制开发线性特性更好的放大元件提供指导. Only under the linear condition, the enlargement of signal can be useful. With the help of mathematics mesthod we can study the non-linear chareteristies of the BJT and the MOSFET. After anlyzing the internal structures of them we can see the generation and the difference of their non-linear characteristics with the purpose of providing instruction for developing of newly component with much better linear characteristics in the future.
作者 唐正明 周永宏
机构地区 西华师范大学物理与电子信息学院
出处 《西华师范大学学报（自然科学版）》 2009年第1期100-103,共4页 Journal of China West Normal University(Natural Sciences)
基金 西华师范大学科研启动基金资助项目(05B019)
关键词 BJT MOSFET TAYLOR公式 非线性 BJT MOSFET the Taylor formula non-linear
分类号 TN3 [电子电信—物理电子学]
  • 相关文献

参考文献7

  • 1NICOLLIAN E H, BREWS J R. MOS Physics and Technology [ M ]. New York : Wiley, 1982.26 - 71.
  • 2GROVE. A S. Physics and Technology of Semiconductor Devices [ M ]. New York :Wiley, 1967.42 - 86 .
  • 3DONALD A. Neamen,Semiconductor Physics and Devices Basic Principle( Third Edition)[ M ].北京:清华大学出版社,2003.268-296.
  • 4胡永才.CMOS场效应晶体管的发展趋势[J].电子产品世界,2007,14(C00):1-5. 被引量：5
  • 5施敏,半导体器件物理与工艺(第二版)[M].江苏:苏州大学出版社,2004.165-210.
  • 6LIU Z H. Threshold Voltage Model for Deep-Submicrometre M OSFETs[ J]. IEEE Trans. Electron Devices, 1993,ED- 40,86.
  • 7冯平.分解形式动态电路唯一稳态新判据[J].重庆师范学院学报（自然科学版）,2001,18(4):19-21. 被引量：1

二级参考文献11

  • 1杨开知 曾晓军.矩阵分析[M].哈尔滨:哈尔滨工业大学出版社,1988..
  • 2Neil Weste and Kamran Eshraghian “Principles of CMOS VLSI Design: A Systems　Perspective”, Addison Wesley Publishing Company, 1985.
  • 3G E. Moore "Cramming more components onto integrated circuits", Electronics Magazine, Vol. 38, April 19, 1965 pp. 114-117.
  • 4http://www.intet.com
  • 5J. D. Meindl “Low power microelectronics: Retrospect and prospect”, Proceeding of the IEEE, April 1995, pp. 619-635.
  • 6E.S. Yang "Microelectronics Devices", McGraw-Hill Inc., 1988
  • 7T. H. Ning "Silicon Technology Directions in the New Millennium", 2000 38 th Annual International Reliability Physics Symposium.
  • 8X. Tang, V. De and J. D. Meindl "Intrinsic MOSFET Parameter Fluctuations Due to Random Dopant Placement", IEEE Transaction VLSI Systems, December 1997, pp. 369- 376.
  • 9H.S. P: Wong,D. J. Frank, P.M. Solomon, C. H. Wann and J.J. Welser "Nanoscale CMOS", Proceedings of the IEEE, April 1999, pp. 537-570.
  • 10Y. Taur, D.A. Buchanan, W. Chen,D.J.Frank, K.E. Ismai, S.H. Lo, G. A. Sai-Halasz, S. J. Wind and H. S. Wong "CMOS Scaling into the Nanometer Regime", Proceedings of the IEEE, April 1997, pp.486-504.

共引文献4

同被引文献22

  • 1杨志民,马义德,马永杰,摆玉龙,杨鸿武.基于0.13μm工艺的低电压CMOS场效应管输出电导[J].吉林大学学报（工学版）,2009,39(1):229-233. 被引量：1
  • 2陈曦,杜正伟,龚克.基极注入强电磁脉冲对双极型晶体管的作用[J].强激光与粒子束,2007,19(3):449-452. 被引量：14
  • 3康华光.电子技术基础模拟部分[M]北京:高等教育出版社,2006.
  • 4孙肖子;张企民.模拟电子技术基础[M]西安:西安电子科技大学出版社,20015-8.
  • 5Elsayed M,Kristiansen M,Neuber A. Fast-charging compact seed source for magnetic flux compression generators[J].American Institute of Physics,.
  • 6余岳辉;梁琳.脉冲功率器件及其应用[M]北京:机械工业出版社,201025-28.
  • 7Kristiansen M,Elsayed M,Neuber A. Intergration of a self-contained compact seed source and trigger set for flux compression generators[A].2009.297-300.
  • 8Hemmert D,Walter J. High power discharge testing of small batteries to power an ultra-compact current seed source[A].2005.1349-1352.
  • 9Zorngiebel V,Hecquard M,Spahn E. Modular 50-kV IGBT switch for pulsed-power applications[J].IEEE Transactions on Plasma Science,2011,(01):364-367.
  • 10蒋玉萍.线性功率MOSFET分析及应用[J].电源世界,2008(4):66-68. 被引量：3

引证文献3

二级引证文献4

西华师范大学学报（自然科学版）
2009年 第1期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部