海力士研发出40纳米级存储器芯片

南韩海力士半导体公司（Hynix Semiconductor）日前宣布，已使用最细微技术研发出全球密度最高存储器芯片。海力士这种崭新的“DDR3DRAM”（DDR3动态随机存取存储器）芯片采用的技术能让互联线相距仅40纳米，细微度是目前产品的1／5。