摘要
ARM公司日前宣布,在于西班牙巴塞罗那举行的“Mobile World Congress(MWC)”上,展出了采用32nm工艺试制的首款ARM处理器。此次使用的工艺为美国IBM等公司的Common Platform技术,采用了高介电率(high—k)绝缘材料和金属栅极。试制的测试芯片上集成的ARM内核为Cortex—A9。设计的电路库使用了被ARM的物理IP(Physical IP)部门针对Common Platform的32nm/28nm工艺进行了优化的标准单元。ARM表示,2009年内与其建立合作关系的半导体厂商能够获得这些技术。
出处
《中国集成电路》
2009年第3期6-6,共1页
China lntegrated Circuit