摘要
第三代thinQ!SiC肖特基二极管具有极低的器件电容,可在高开关频率和轻负载条件下提升整个系统的效率,从而帮助降低电源转换系统成本。该二极管系列提供多种封装形式,不仅包括TO-220封装(真正的双管脚版本)产品,还包括面向高功率密度表面贴装设计的DPAK封装产品。目前,第三代thinQ!SiC肖特基二极管提供采用TO-220和DPAK封装的600V(3A、4A、5A、6A、8A、9A、10A和12A)产品和采用TO-220封装的1200V产品(2A、5A、8A、10A和15A)。
出处
《今日电子》
2009年第4期91-91,共1页
Electronic Products