摘要
提出一种新型硅无掩模腐蚀技术。利用设计一块掩模和进行一次常规有掩模腐蚀之后的无掩模腐蚀工艺,可制作多层次的硅微机械结构,结构层数原则上不受限制,各层次的位置和相应深度方便可控。基于该技术,给出了制作的几例多层力学量传感器结构结果。该技术将可望广泛应用于半导体微机械传感器和执行器中。
This paper presens a novel maskless etching technology for fabrication of multilevel silicon micromachining structures.Various kinds of structures can be formed by using only one mask and a maskless following masked etching process.The technology has been successfully used in mechanical microsensor structures including singlesi ded multilevel pressure sensor,symmetric beammass structure capacitive accelerometer and integrated multiscale mechanical array,etc.
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第3期6-9,45,共5页
Semiconductor Technology
基金
国家自然科学基金
中科院传感技术国家重点实验室和"九五"科技攻关等项目
关键词
硅
各向异性腐蚀
微结构
力敏传感器
Silicon Anisotropic etching Micromachining structure Mechanical sensor